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EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)

簡(jiǎn)要描述:EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)EVG610(單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī) 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿(mǎn)足不斷變化的用戶(hù)需求,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念適合初學(xué)者到專(zhuān)家級(jí)各個(gè)階層用戶(hù),非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

  • 產(chǎn)品型號(hào):EVG610
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 產(chǎn)品資料:查看pdf文檔
  • 更新時(shí)間:2024-11-09
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量: 9403

詳細(xì)介紹

  EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)介紹:
  EVG®610 單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng),可處理零碎片和大200 mm的晶圓。
  EVG®610 單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)( 微流控 納米壓?。┲С指鞣N標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝,如真空,硬,軟接觸和接近式曝光模式,可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外,該系統(tǒng)還提供其他功能,包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻(NIL)。EVG610提供快速處理和重新加工,以滿(mǎn)足不斷變化的用戶(hù)需求,轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念適合初學(xué)者到專(zhuān)家級(jí)各個(gè)階層用戶(hù),非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。
  應(yīng)用:
  MEMS,RF器件,功率器件,化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。


  EVG單面/雙面掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)特征

  1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸
  2、頂部和底部對(duì)準(zhǔn)功能
  3、高精度對(duì)準(zhǔn)
  4、自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列
  5、電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙
  6、支持先進(jìn)的UV-LED技術(shù)
  7、小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求
  8、分步流程指引
  9、遠(yuǎn)程技術(shù)支持
  10、多用戶(hù)概念(無(wú)限數(shù)量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序,可分配的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限,不同語(yǔ)言)
  11、敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

  12、臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面


  附加功能:
  1.鍵合對(duì)準(zhǔn)
  2.紅外對(duì)準(zhǔn)

  3.納米壓印光刻(NIL)


  【技術(shù)參數(shù)】
  1.掩模版-基板-晶圓尺寸
  掩模版尺寸:5寸/7寸/9寸
  基片/晶圓尺寸:100mm/150mm/200mm
  晶圓厚度:高達(dá)10mm
  2.對(duì)準(zhǔn)模式
  頂部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 0,5 µm
  底部對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm
  紅外對(duì)準(zhǔn)模式:≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料
  3.頂部顯微鏡
  移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:32-100mm;Y軸:-50/+30mm;)
  移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:32-150mm;Y軸:-75/+30mm;)
  移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:32-200mm;Y軸:-100/+30mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度
  4.底部顯微鏡
  移動(dòng)范圍1:100mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動(dòng)范圍2:150mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  移動(dòng)范圍1:200mm(X軸:30-100mm;Y軸:±12mm;)
  可選:平坦的物鏡可以增加光程;帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡,可以增加對(duì)比度
  5.曝光器件
  (1)波長(zhǎng)范圍:
  NUV:350 - 450 nm
  DUV:低至200 nm (可選)
  (2)光源:
  汞燈350W , 500W UV LED燈
  (3)均勻性:
  150mm:≤ 3%
  200mm:≤ 4%
  (4)濾光片:
  汞燈:機(jī)械式
  UV LED:軟件可調(diào)
  6.曝光模式
  接觸:硬、軟接觸,真空
  曝光間隙:1 - 1000 µm
  線(xiàn)寬精度:1µm
  模式:CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)
  可選:內(nèi)部,浸入,扇形
  7.可選功能
  鍵合對(duì)準(zhǔn)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)精度:≤ ± 2,0 µm
  納米壓抑光刻(NIL)軟印章分辨率:≤ 50 nm圖形分辨率
  8.設(shè)施
  真空:< 150 mbar
  壓縮氣體:6 bar
  氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar
  排氣要求:汞燈需要;LED不需要
  9.系統(tǒng)方式
  系統(tǒng):windows
  文件分享和軟件備份
  無(wú)限程序儲(chǔ)存,參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)
  支持多語(yǔ)言,含中文
  實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持,診斷和排除故障
  10.楔形補(bǔ)償
  全自動(dòng)- 軟件控制
  11.規(guī)格(單面/雙面光刻機(jī) 微流控加工 掩模對(duì)準(zhǔn))
  占地面積:0.55m2
  高度:1.01m
  重量:約250kg
  納米壓印分辨率:≤ 40 nm(取決于模板和工藝)
  支持工藝:Soft UV-NIL



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